Номер детали производителя : | 1N4006 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 5902 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N4006.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N4006 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 5902 pcs |
Спецификация | 1N4006.pdf |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | Standard |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1A |
Напряжение - Разбивка | DO-41 |
Серии | - |
Статус RoHS | Bulk |
Обратное время восстановления (ТИР) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Сопротивление @ Если, F | - |
поляризация | DO-204AL, DO-41, Axial |
Другие названия | 1N4006OS |
Тип установки | Through Hole |
Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
Номер детали производителя | 1N4006 |
Расширенное описание | Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41 |
Диод Конфигурация | 10µA @ 800V |
Описание | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1.1V @ 1A |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 800V |
Емкостной @ В.Р., F | -65°C ~ 175°C |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
DIODE GEN 1A 600V SOD-123F
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41