Номер детали производителя : | EGP30J |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EGP30J(1).pdfEGP30J(2).pdfEGP30J(3).pdfEGP30J(4).pdfEGP30J(5).pdfEGP30J(6).pdfEGP30J(7).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EGP30J |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | EGP30J(1).pdfEGP30J(2).pdfEGP30J(3).pdfEGP30J(4).pdfEGP30J(5).pdfEGP30J(6).pdfEGP30J(7).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-201AD |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
Упаковка / | DO-201AD, Axial |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 75pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | EGP30 |
DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AE
DIODE GEN PURP 400V 3A GP20
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD