NDDP010N25AZT4H

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NDDP010N25AZT4H, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Этот IC-чип имеет максимальное напряжение источника дренажа (VDS) 250 В, что делает его подходящим для высоковольтных систем. С устойчивым сопротивлением в штате (RDS (ON)) 10 МОм при VGS = 10 В, устройство обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Его высокие текущие возможности поддерживают надежные производительности в промышленных и автомобильных средах. NDDP010N25AZT4H работает эффективно с зарядом затвора (QG), оптимизированным для более быстрой скорости переключения, уменьшая потери переключения в цепях преобразования питания. Размещенный в термически усовершенствованном платеже, он предлагает превосходное рассеяние тепла, что обеспечивает надежную работу в условиях тяжелой нагрузки. Этот MOSFET идеально подходит для преобразователей DC-DC, драйверов управления двигателями и различных переключающих применений, требующих превосходной тепловой стабильности и долговечности. Кроме того, его возможности лавины обеспечивает прочность против пиков переходного напряжения, обеспечивая долгосрочную надежность. Цена и время выполнения заказа для NDDP010N25AZT4H В зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте вам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем, чтобы мы собирались с вами.