Номер детали производителя : | PCFFS50120AF |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 50A DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | PCFFS50120AF(1).pdfPCFFS50120AF(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | PCFFS50120AF |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 50A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | PCFFS50120AF(1).pdfPCFFS50120AF(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.75 V @ 50 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tray |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 50A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | PCFFS50120 |
IGBT NPT 1200V
DIODE SIL CARBIDE 650V 60A DIE
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 46A DIE
DIODE SIL CARBIDE 650V 30A DIE
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DIE
IGBT PCFG40T65SHW
MOSFET N-CH
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 61A DIE
DIODE SIL CARBIDE 650V 40A DIE
IGBT FIELD STOP 650V WAFER