Номер детали производителя : | GB02SHT06-46 |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GB02SHT06-46.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB02SHT06-46 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GB02SHT06-46.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-46 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 225°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB02SHT06 |
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE 4PDT 6A 24V
CAP CER
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
CAP CER
DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2