Номер детали производителя : | GB02SLT12-252 | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GB02SLT12-252(1).pdfGB02SLT12-252(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB02SLT12-252 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GB02SLT12-252(1).pdfGB02SLT12-252(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | SiC Schottky MPS™ |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 5A |
Емкостной @ В.Р., F | 131pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB02SLT12 |
DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
CAP CER
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2