Номер детали производителя : | GB02SLT12-214 |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
Состояние на складе : | 6016 pcs Stock |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GB02SLT12-214.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB02SLT12-214 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 6016 pcs |
Спецификация | GB02SLT12-214.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | SiC Schottky MPS™ |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | DO-214AA, SMB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
Емкостной @ В.Р., F | 131pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB02SLT12 |
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
CAP CER
DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
CAP CER
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K