Номер детали производителя : | GB02SLT12-220 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GB02SLT12-220 |
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
Емкостной @ В.Р., F | 138pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GB02SLT12 |
DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46
DIODE SIL CARBIDE 300V 4A TO46
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
CAP CER
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN DIP49S T&R 1K
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A