Номер детали производителя : | G1K8P06S2 |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Goford Semiconductor |
Состояние на складе : | 3968 pcs Stock |
Описание : | P-60V,-3.2A,RD(MAX)<170M@-10V,VT |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G1K8P06S2.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G1K8P06S2 |
---|---|
производитель | Goford Semiconductor |
Описание | P-60V,-3.2A,RD(MAX)<170M@-10V,VT |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 3968 pcs |
Спецификация | G1K8P06S2.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1A, 10V |
Мощность - Макс | 2W (Tc) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 594pF @ 30V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
FET Характеристика | Standard |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.2A (Tc) |
конфигурация | 2 P-Channel |
NP100V, 3A,RD<130M@10V,RD<200M@-
MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-