Номер детали производителя : | IS42S32160B-6BLI-TR | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Состояние на складе : | 5287 pcs Stock |
Описание : | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | IS42S32160B-6BLI-TR.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IS42S32160B-6BLI-TR |
---|---|
производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Описание | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5287 pcs |
Спецификация | IS42S32160B-6BLI-TR.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | - |
Напряжение тока - поставка | 3 V ~ 3.6 V |
Технологии | SDRAM |
Поставщик Упаковка устройства | 90-WBGA (11x13) |
Серии | - |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 90-TFBGA |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 512Mb (16M x 32) |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA (11x13) |
Тактовая частота | 166MHz |
Время доступа | 5.4ns |
IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA