Номер детали производителя : | IS42S32160C-6BI-TR | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Состояние на складе : | 4470 pcs Stock |
Описание : | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | IS42S32160C-6BI-TR.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IS42S32160C-6BI-TR |
---|---|
производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Описание | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 4470 pcs |
Спецификация | IS42S32160C-6BI-TR.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | - |
Напряжение тока - поставка | 3 V ~ 3.6 V |
Технологии | SDRAM |
Поставщик Упаковка устройства | 90-WBGA (8x13) |
Серии | - |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 90-LFBGA |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 512Mb (16M x 32) |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Подробное описание | SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA (8x13) |
Тактовая частота | 166MHz |
Время доступа | 5.4ns |
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA