Номер детали производителя : | IS43DR86400E-25DBLI |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Состояние на складе : | 2602 pcs Stock |
Описание : | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | IS43DR86400E-25DBLI.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IS43DR86400E-25DBLI |
---|---|
производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Описание | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 2602 pcs |
Спецификация | IS43DR86400E-25DBLI.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.7 V ~ 1.9 V |
Технологии | SDRAM - DDR2 |
Поставщик Упаковка устройства | 60-TWBGA (8x10.5) |
Серии | - |
упаковка | Tray |
Упаковка / | 60-TFBGA |
Другие названия | 706-1560 |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 512Mb (64M x 8) |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ns 60-TWBGA (8x10.5) |
Тактовая частота | 400MHz |
Время доступа | 400ns |
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA