IDH20G65C5XKSA1

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN IDH20G65C5XKSA1 имеет решающее значение, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на электронике RX. IDH20G65C5XKSA1-это высокопроизводительный карбид-карбид (SIC), производимый инфинеонными технологиями. Это устройство предназначено для обеспечения превосходной эффективности и надежности в приложениях преобразования питания. С напряжением разбивки 650 В, он поддерживает высокие частоты переключения при минимизации потерь переключения. Низкая резистентность обеспечивает минимальные потери проводимости, что делает его идеальным для требования промышленной и автомобильной среды.

Ключевые особенности IDH20G65C5XKSA1 включают его надежные тепловые характеристики, отличную надежность короткого замыкания и легкие возможности привода. Эти атрибуты делают его подходящим для широкого спектра приложений, таких как солнечные инверторы, зарядные станции электромобилей (EV) и непрестрастные источники питания (UPS). Его компактный дизайн также позволяет обеспечить пространство реализации в системах электроники, повышая общую эффективность системы и снижая общую стоимость владения. Расширенные производственные процессы Infineon обеспечивают высококачественную и надежную производительность, что делает этот SIC Mosfet лучшим выбором для инженеров, ищущих передовые решения. Цена и время заказа для IDH20G65C5XKSA1 в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте свой запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы мрачно выровняем к вам.