Номер детали производителя : | SIDC81D120E6X1SA4 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 4331 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SIDC81D120E6X1SA4.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SIDC81D120E6X1SA4 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 4331 pcs |
Спецификация | SIDC81D120E6X1SA4.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.9V @ 100A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200V |
Поставщик Упаковка устройства | Sawn on foil |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Die |
Другие названия | SIDC81D120E6 SIDC81D120E6-ND SP000011952 |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 1200V 100A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 27µA @ 1200V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 100A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | - |
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
DIODE GEN PURPOSE 1.2KV
DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER