Номер детали производителя : | DTC114ECAHZGT116 |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 9250 pcs Stock |
Описание : | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | DTC114ECAHZGT116(1).pdfDTC114ECAHZGT116(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | DTC114ECAHZGT116 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 9250 pcs |
Спецификация | DTC114ECAHZGT116(1).pdfDTC114ECAHZGT116(2).pdf |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased + Diode |
Поставщик Упаковка устройства | SST3 |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 350mW |
упаковка | Original-Reel® |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Другие названия | DTC114ECAHZGT116DKR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 7 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | - |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
DIGITAL TRANSISTOR NPN 50V 0.1A
NPN, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-523
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
NPN, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI