Номер детали производителя : | MHE1003NR3 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 181 pcs Stock |
Описание : | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MHE1003NR3 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 181 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - испытания | 28V |
Напряжение - Номинальный | 65V |
Тип транзистор | LDMOS |
Поставщик Упаковка устройства | OM-780-2 |
Серии | - |
Выходная мощность | 53dBm |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | OM-780-2 |
Другие названия | 935316198528 |
Коэффициент шума | - |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
Усиление | 14.1dB |
частота | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
Подробное описание | RF Mosfet LDMOS 28V 50mA 2.4GHz ~ 2.5GHz 14.1dB 53dBm OM-780-2 |
Текущий рейтинг | 10µA |
Ток - Тест | 50mA |
PCB TERM BLK, 10.00MM, 1 POLE, T
HIGH CURRENT LOW DCR POWER INDUC
HIGH CURRENT LOW DCR POWER INDUC
MOUNTING BRACKET
PBC TERM 1000MMPSHORIZ 11P 15A 6
HIGH CURRENT LOW DCR POWER INDUC
HIGH CURRENT LOW DCR POWER INDUC
PBC TERM 1000MMPSHORIZ 12P 15A 6
PBC TERM 1000MMPSHORIZ 10P 15A 6
HIGH CURRENT LOW DCR POWER INDUC