Номер детали производителя : | PCDB0665G1_T0_00001 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | PANJIT |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | PCDB0665G1_T0_00001 |
---|---|
производитель | PANJIT |
Описание | 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 6 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Диод Тип | Silicon Carbide Schottky |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | 228pF @ 1V, 1MHz |
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
D-SUB
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO263
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO263
DSUB 9M STR CONTACT J/S
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263
1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO263