Номер детали производителя : | P3D12010G2 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | PN Junction Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO263-2 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | P3D12010G2.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | P3D12010G2 |
---|---|
производитель | PN Junction Semiconductor |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO263-2 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | P3D12010G2.pdf |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | P3D |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-263-2 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 33A |
DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2
DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-3
DIODE SIL CARB 1.2KV 23A TO247-2
DIODE SIL CARB 1.2KV 31A TO220-2
DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2
DIODE SIL CARB 650V 106A TO247-3
DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO220-2
DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO220-2
DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-2
DIODE SIL CARB 1.2KV 31A TO247-2