Номер детали производителя : | ESH1B R3G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | ESH1B R3G(1).pdfESH1B R3G(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | ESH1B R3G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | ESH1B R3G(1).pdfESH1B R3G(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 900 mV @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AC (SMA) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 15 ns |
Упаковка / | DO-214AC, SMA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | ESH1 |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
CAP ALUM RAD 105C
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
CAP ALUM RAD 105C
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
CAP ALUM RAD 105C