Номер детали производителя : | RS2JFSH |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | 250NS, 2A, 600V, FAST RECOVERY R |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RS2JFSH(1).pdfRS2JFSH(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS2JFSH |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | 250NS, 2A, 600V, FAST RECOVERY R |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RS2JFSH(1).pdfRS2JFSH(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | SOD-128 |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 250 ns |
Упаковка / | SOD-128 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
Емкостной @ В.Р., F | 11pF @ 4V, 1MHz |
250NS, 2A, 600V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
250NS, 2A, 600V, FAST RECOVERY R
250NS, 2A, 600V, FAST RECOVERY R
DIODE GP 600V 2A SMB/DO-214AA
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 2A THIN SMA
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 2A SOD128