Номер детали производителя : | 1N6479HE3/97 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N6479HE3/97(1).pdf1N6479HE3/97(2).pdf1N6479HE3/97(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N6479HE3/97 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N6479HE3/97(1).pdf1N6479HE3/97(2).pdf1N6479HE3/97(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-213AB |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | SUPERECTIFIER® |
Упаковка / | DO-213AB, MELF (Glass) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | 1N6479 |
DIODE GP 400V 400MA DO213AA
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GP REV 500V 400MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 500V DO35
DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35
DIODE GP 400V 400MA DO213AA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB