Номер детали производителя : | AS3BJHM3_A/I |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | AS3BJHM3_A/I(1).pdfAS3BJHM3_A/I(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | AS3BJHM3_A/I |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | AS3BJHM3_A/I(1).pdfAS3BJHM3_A/I(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.05 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Avalanche |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA (SMB) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | DO-214AA, SMB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 20 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
Емкостной @ В.Р., F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | AS3 |
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
650V,30A SILICON CARBIDE SCHOTTK
1200V,30A SILICON CARBIDE SCHOTT
1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT