Номер детали производителя : | FESB16GT-E3/81 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 1935 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FESB16GT-E3/81(1).pdfFESB16GT-E3/81(2).pdfFESB16GT-E3/81(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FESB16GT-E3/81 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 1935 pcs |
Спецификация | FESB16GT-E3/81(1).pdfFESB16GT-E3/81(2).pdfFESB16GT-E3/81(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 16 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 400 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263AB (D²PAK) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 400 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 16A |
Емкостной @ В.Р., F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | FESB16 |
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 500V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB