Номер детали производителя : | GF1D-2HE3_A/H | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GF1D-2HE3_A/H.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GF1D-2HE3_A/H |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GF1D-2HE3_A/H.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214BA (GF1) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Обратное время восстановления (ТИР) | 2 µs |
Упаковка / | DO-214BA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 15pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA
DIODE GEN PURP 200V 1A SMA