Номер детали производителя : | GL41T-E3/97 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GL41T-E3/97(1).pdfGL41T-E3/97(2).pdfGL41T-E3/97(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GL41T-E3/97 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | GL41T-E3/97(1).pdfGL41T-E3/97(2).pdfGL41T-E3/97(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.2 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1300 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-213AB |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | SUPERECTIFIER® |
Упаковка / | DO-213AB, MELF (Glass) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1300 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GL41 |
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB