Номер детали производителя : | GL41YHE3_A/I |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 99 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GL41YHE3_A/I(1).pdfGL41YHE3_A/I(2).pdfGL41YHE3_A/I(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GL41YHE3_A/I |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 99 pcs |
Спецификация | GL41YHE3_A/I(1).pdfGL41YHE3_A/I(2).pdfGL41YHE3_A/I(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.2 V @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-213AB |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | SUPERECTIFIER® |
Упаковка / | DO-213AB, MELF (Glass) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | GL41 |
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DOT COVERED PALM, LARGE
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DOT COVERED PALM, SMALL
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
DOT COVERED PALM, X-SMALL
DOT COVERED PALM, MEDIUM