Номер детали производителя : | SE20FGHM3/I |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SE20FGHM3/I(1).pdfSE20FGHM3/I(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SE20FGHM3/I |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SE20FGHM3/I(1).pdfSE20FGHM3/I(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 400 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-219AB (SMF) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 920 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 400 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.7A |
Емкостной @ В.Р., F | 13pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | SE20 |
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 2A DFN3820A
DIODE GEN PURP 200V 1.7A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 1.7A DO219AB