Номер детали производителя : | SE70PJ-M3/87A |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SE70PJ-M3/87A(1).pdfSE70PJ-M3/87A(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SE70PJ-M3/87A |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SE70PJ-M3/87A(1).pdfSE70PJ-M3/87A(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.05 V @ 7 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-277A (SMPC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 2.6 µs |
Упаковка / | TO-277, 3-PowerDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 20 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2.9A |
Емкостной @ В.Р., F | 76pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | SE70 |
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
CASE PLAS 19.750"L X 15.530"W
DIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
DIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
DIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A
DIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A
DIODE GEN PURP 600V 2.9A TO277A