Номер детали производителя : | VS-4EWH02FN-M3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 997 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-4EWH02FN-M3(1).pdfVS-4EWH02FN-M3(2).pdfVS-4EWH02FN-M3(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-4EWH02FN-M3 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 997 pcs |
Спецификация | VS-4EWH02FN-M3(1).pdfVS-4EWH02FN-M3(2).pdfVS-4EWH02FN-M3(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | D-PAK (TO-252AA) |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 20 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 3 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | 4EWH02 |
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
DIODE GEN PURP 200V 4A TO252
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
DIODE GEN PURP 100V 4A SLIMDPAK
DIODE GEN PURP 200V 4A SLIMDPAK
7.5MM EXTENSION RING
DIODE GEN PURP 100V 4A SLIMDPAK
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
DIODE GEN PURP 200V 4A SLIMDPAK