Номер детали производителя : | MJD112-001 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 4274 pcs Stock |
Описание : | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MJD112-001.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MJD112-001 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 4274 pcs |
Спецификация | MJD112-001.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 100V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Тип транзистор | NPN - Darlington |
Поставщик Упаковка устройства | I-PAK |
Серии | - |
Мощность - Макс | 1.75W |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Другие названия | MJD112-001OS |
Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Частота - Переход | 25MHz |
Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 20µA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 2A |
Номер базового номера | MJD112 |
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK