Номер детали производителя : | MJD112-1G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 2650 pcs Stock |
Описание : | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MJD112-1G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MJD112-1G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 2650 pcs |
Спецификация | MJD112-1G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 100V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Тип транзистор | NPN - Darlington |
Поставщик Упаковка устройства | I-PAK |
Серии | - |
Мощность - Макс | 1.75W |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Другие названия | MJD112-1GOS MJD1121G |
Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 9 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 25MHz |
Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 20µA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 2A |
Номер базового номера | MJD112 |
TRANS NPN 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK