Номер детали производителя : | MR756RLG | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 4656 pcs Stock |
Описание : | DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MR756RLG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MR756RLG |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4656 pcs |
Спецификация | MR756RLG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 900mV @ 6A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | Microde Button |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | Button, Axial |
Другие названия | MR756RLGOS MR756RLGOS-ND MR756RLGOSTR |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 600V 6A Through Hole Microde Button |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Номер базового номера | MR756 |
DIFFUSED JUNCTION SILICON TRANSI
DIODE GP 600V 6A LEADED BUTTON
DIODE GEN PURP 1KV 22A D6
DIODE GP 800V 6A LEADED BUTTON
DIODE GEN PURP 1KV 6A
DIODE GEN PURP 600V 6A
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
DIODE GP 800V 6A LEADED BUTTON
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON