Номер детали производителя : | MR756RL | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 4683 pcs Stock |
Описание : | DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MR756RL.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MR756RL |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 4683 pcs |
Спецификация | MR756RL.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 900mV @ 6A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | Microde Button |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | Button, Axial |
Другие названия | MR756RLOSTR |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 600V 6A Through Hole Microde Button |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Номер базового номера | MR756 |
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
DIODE GP 800V 6A LEADED BUTTON
DIODE GEN PURP 600V 6A
DIFFUSED JUNCTION SILICON TRANSI
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
DIODE GEN PURP 1KV 22A D6
DIODE GEN PURP 400V 6A D6
DIODE GP 600V 6A LEADED BUTTON
DIODE GP 800V 6A LEADED BUTTON