Номер детали производителя : | EPC2106 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 83465 pcs Stock |
Описание : | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2106(1).pdfEPC2106(2).pdfEPC2106(3).pdfEPC2106(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2106 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 83465 pcs |
Спецификация | EPC2106(1).pdfEPC2106(2).pdfEPC2106(3).pdfEPC2106(4).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
Мощность - Макс | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 75pF @ 50V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.7A |
конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Базовый номер продукта | EPC210 |
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
GANFET 2NCH 100V 23A DIE
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA