Номер детали производителя : | EPC2110 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 14745 pcs Stock |
Описание : | GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2110(1).pdfEPC2110(2).pdfEPC2110(3).pdfEPC2110(4).pdfEPC2110(5).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2110 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 14745 pcs |
Спецификация | EPC2110(1).pdfEPC2110(2).pdfEPC2110(3).pdfEPC2110(4).pdfEPC2110(5).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
Мощность - Макс | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 80pF @ 60V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 120V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.4A |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Базовый номер продукта | EPC211 |
IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE