Номер детали производителя : | EPC8009 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 12857 pcs Stock |
Описание : | GANFET N-CH 65V 4A DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC8009(1).pdfEPC8009(2).pdfEPC8009(3).pdfEPC8009(4).pdfEPC8009(5).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC8009 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | GANFET N-CH 65V 4A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 12857 pcs |
Спецификация | EPC8009(1).pdfEPC8009(2).pdfEPC8009(3).pdfEPC8009(4).pdfEPC8009(5).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 52 pF @ 32.5 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.45 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 65 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Ta) |
GANFET N-CH 100V 4A DIE
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 4A DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE