Номер детали производителя : | IS43DR16640C-3DBI-TR | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Состояние на складе : | 3957 pcs Stock |
Описание : | IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | IS43DR16640C-3DBI-TR.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IS43DR16640C-3DBI-TR |
---|---|
производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Описание | IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 3957 pcs |
Спецификация | IS43DR16640C-3DBI-TR.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.7 V ~ 1.9 V |
Технологии | SDRAM - DDR2 |
Поставщик Упаковка устройства | 84-TFBGA (12.5x8) |
Серии | - |
Статус RoHS | RoHS Compliant |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 84-TFBGA |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 1Gb (64M x 16) |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
Подробное описание | SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 450ns 84-TFBGA (12.5x8) |
Тактовая частота | 333MHz |
Время доступа | 450ns |
1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @
IC DRAM 512MBIT SSTL 18 126TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @
IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ