Номер детали производителя : | IS43DR32160C-3DBL | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC DRAM 512MBIT SSTL 18 126TWBGA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IS43DR32160C-3DBL |
---|---|
производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Описание | IC DRAM 512MBIT SSTL 18 126TWBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.7V ~ 1.9V |
Технологии | SDRAM - DDR2 |
Поставщик Упаковка устройства | 126-TWBGA (10.5x13.5) |
Серии | - |
Упаковка / | 126-TFBGA |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 512Mbit |
Организация памяти | 16M x 32 |
Интерфейс памяти | SSTL_18 |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 333 MHz |
Базовый номер продукта | IS43DR32160 |
Время доступа | 450 ps |
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA