Номер детали производителя : | IXTD4N80P-3J | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | IXYS Corporation | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | IXTD4N80P-3J.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IXTD4N80P-3J |
---|---|
производитель | IXYS Corporation |
Описание | MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | IXTD4N80P-3J.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 100µA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | PolarHV™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1.8A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 100W (Tc) |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 14.2 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 800 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Базовый номер продукта | IXTD4N |
MOSFET N-CH 500V 3A DIE
MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
MOSFET N-CH 600V 2A DIE
MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
MOSFET N-CH 600V 3A DIE
MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC