Номер детали производителя : | IRD3CH53DB6 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 4481 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | IRD3CH53DB6.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | IRD3CH53DB6 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4481 pcs |
Спецификация | IRD3CH53DB6.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 2.7V @ 100A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200V |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 270ns |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Die |
Другие названия | SP001533446 |
Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 1200V 100A Surface Mount Die |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 2µA @ 1200V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 100A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED