Номер детали производителя : | LMG3422R050RQZR |
---|---|
Статус RoHS : | Непригодный |
Изготовитель / Производитель : | Texas Instruments |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | LMG3422R050RQZR.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | LMG3422R050RQZR |
---|---|
производитель | |
Описание | IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Непригодный |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | LMG3422R050RQZR.pdf |
Напряжение тока - поставка | 7.5V ~ 18V |
Напряжение - Нагрузка | 7.5V ~ 18V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 54-VQFN (12x12) |
Серии | - |
Rds On (Тип) | 43mOhm |
Упаковка / | 54-VQFN Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Выходная конфигурация | Half Bridge |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип нагрузки | Inductive, Capacitive, Resistive |
Интерфейс | PWM |
Особенности | Bootstrap Circuit, Latch Function, Slew Rate Controlled |
Защита от сбоев | Over Current, Over Temperature, UVLO |
Ток - Пик Выходной | 1.2A |
Ток - выход / канал | 1.2A |
Базовый номер продукта | LMG3422 |
Приложения | General Purpose |
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
PROTOTYPE
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE
600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
LMG3422R050 600-V 50-M HALF-BRID
600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT