Номер детали производителя : | RN1965FE(TE85L,F) |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | 20 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN1965FE(TE85L,F)(1).pdfRN1965FE(TE85L,F)(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1965FE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 20 pcs |
Спецификация | RN1965FE(TE85L,F)(1).pdfRN1965FE(TE85L,F)(2).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47kOhms |
Резистор - основание (R1) | 2.2kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN1965 |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6