Номер детали производителя : | RN1969FE(TE85L,F) | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN1969FE(TE85L,F)(1).pdfRN1969FE(TE85L,F)(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1969FE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RN1969FE(TE85L,F)(1).pdfRN1969FE(TE85L,F)(2).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 22kOhms |
Резистор - основание (R1) | 47kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN1969 |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6