Номер детали производителя : | RN1971FE(TE85L,F) | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | 5865 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN1971FE(TE85L,F).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN1971FE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5865 pcs |
Спецификация | RN1971FE(TE85L,F).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Другие названия | RN1971FE(TE85LF)CT |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
SSR SOLI AFC 480V 50A I/C
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
SSR SOLI AFC 120V 50A V/C