Номер детали производителя : | RN4986FE,LF(CT |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RN4986FE,LF(CT.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN4986FE,LF(CT |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RN4986FE,LF(CT.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ES6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47kOhms |
Резистор - основание (R1) | 4.7kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250MHz, 200MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN4986 |
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6