Номер детали производителя : | G2SB80-M3/45 | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE BRIDGE | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G2SB80-M3/45(1).pdfG2SB80-M3/45(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G2SB80-M3/45 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE BRIDGE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G2SB80-M3/45(1).pdfG2SB80-M3/45(2).pdf |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | 800 V |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 750 mA |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | GBL |
Серии | - |
Упаковка / | 4-SIP, GBL |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Диод Тип | Single Phase |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 800 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.5 A |
Базовый номер продукта | G2SB80 |
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
DIODE GPP 2A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL