Номер детали производителя : | S2M/54 | Статус RoHS : | RoHS несовместим |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S2M/54.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S2M/54 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | RoHS несовместим |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S2M/54.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 1.5 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA (SMB) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 2 µs |
Упаковка / | DO-214AA, SMB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1.5A |
Емкостной @ В.Р., F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | S2M |
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
DIODE GPP 1.5A 1000V DO-214AA
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA