Номер детали производителя : | SE30NJ-M3/I |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 14200 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SE30NJ-M3/I.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SE30NJ-M3/I |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 14200 pcs |
Спецификация | SE30NJ-M3/I.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DFN3820A |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | 2-VDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount, Wettable Flank |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 19pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 400V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 200V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221BC
DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221BC
BACKSHELL
DIODE GEN PURP 200V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
DIODE GEN PURP 400V 3A DFN3820A