Номер детали производителя : | SE30PAB-M3/I |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SE30PAB-M3/I(1).pdfSE30PAB-M3/I(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SE30PAB-M3/I |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | SE30PAB-M3/I(1).pdfSE30PAB-M3/I(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.16 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-221BC (SMPA) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | eSMP® |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.3 µs |
Упаковка / | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 13pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | SE30 |
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221BC
DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 200V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC
DIODE GEN PURP 600V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 400V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 400V 3A DFN3820A
DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221BC
DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC