Номер детали производителя : | VS-10ETF12-M3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Состояние на складе : | 7459 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VS-10ETF12-M3(1).pdfVS-10ETF12-M3(2).pdfVS-10ETF12-M3(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VS-10ETF12-M3 |
---|---|
производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Описание | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 7459 pcs |
Спецификация | VS-10ETF12-M3(1).pdfVS-10ETF12-M3(2).pdfVS-10ETF12-M3(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.33 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220AC |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 310 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 150°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | 10ETF12 |
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GP 1.2KV 10A TO220-2FP
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB
DIODE GP 1.2KV 10A TO220ACFP
DIODE GEN PURP 1KV 10A TO263AB